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SK하이닉스 가 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다. * LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램. DDR은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭으로, DDR1-2-3-4로 세대가 바뀜 반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다. 특히, 이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산된다는 의미가 있다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다. * EUV (Extreme Ultraviolet) - 극자외선을 이용해 빛을 투사해주는 노광(露光) 장비 공정이 극도로 미세화되면서 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입하고 있다. 업계에서는 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 입장이다. 또, SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다. 올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 회사는 기대하고 있다. 이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 저전력

SK하이닉스 가 업계 최대 용량인 18GB(기가바이트) LPDDR5 모바일 D램을 양산한다고 8일 밝혔다. 이 제품은 최고 사양 스마트폰에 장착돼 고해상도 게임과 동영상을 재생하는 데 최적의 환경을 지원한다. SK하이닉스는 향후 초고성능 카메라 앱, 인공지능(AI) 등 최신 기술로 적용 범위가 계속 넓어질 것으로 전망했다. SK하이닉스 관계자는 “16GB 제품보다 용량이 커지면서 데이터 일시 저장 공간이 확대돼 처리 속도와 영상 품질이 대폭 개선될 것”이라고 밝혔다. 이번에 양산하는 제품은 기존 스마트폰에 탑재된 모바일 D램(LPDDR5, 5500Mb/s)보다 약 20% 빨라진 6400Mb/s 속도로 동작한다. 6400Mb/s는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 10편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다. 이 제품을 통해 스마트폰 업체들이 이전 세대보다 한층 성능이 우수한 스마트폰을 출시할 수 있을 것으로 SK하이닉스는 내다봤다. SK하이닉스는 이 제품을 글로벌 IT 기업인 에이수스(ASUS)에서 출시 예정인 게이밍 스마트폰인 ‘ROG(Republic of Gamers) 5’에 공급하면서 양산을 본격화한다. 시장조사기관인 옴디아(OMDIA)는 LPDDR5 D램 수요가 현재 모바일 D램 전체 시장의 약 10%를 차지하고 있지만, 첨단기기 적용 범위가 갈수록 늘어나는 데 맞춰 매년 수요가 늘어 2023년에는 50%를 넘어설 것으로 전망했다.  출처:  SK하이닉스

SK하이닉스 가 업계 최고층인 176단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 개발했다고 7일 밝혔다. SK하이닉스는 이 제품을 솔루션화하기 위해 지난달 컨트롤러 업체에 샘플을 제공했다. SK하이닉스는 96단 낸드플래시부터 CTF(Charge Trap Flash)와 고집적 PUC(Peri Under Cell) 기술을 결합한 4D 제품을 시장에 선보이고 있다. 이번에 개발한 176단 낸드는 3세대 4D 제품으로 업계 최고 수준의 웨이퍼 당 생산 칩 수를 확보했다. 이를 통해 비트 생산성은 이전 세대보다 35% 이상 향상돼 차별화된 원가경쟁력을 갖출 수 있게 됐다. 2분할 셀 영역 선택 기술을 새롭게 적용해 셀(Cell)에서의 읽기 속도는 이전 세대 보다 20% 빨라졌다. 또한 공정 수 증가 없이 속도를 높일 수 있는 기술도 적용해 데이터 전송 속도는 33% 개선된 1.6Gbps를 구현했다. SK하이닉스는 내년 중반, 최대 읽기 속도 약 70%, 최대 쓰기 속도 약 35%가 향상된 모바일 솔루션 제품을 시작으로 소비자용 SSD와 기업용 SSD를 순차적으로 출시하는 등 응용처별 시장을 확대해 나갈 예정이다. 낸드플래시는 층수가 높아지면서 셀 내부의 전류 감소, 층간 비틀림 및 상하 적층 정렬 불량(Stack misalignment)에 따른 셀 분포 열화 현상 등이 발생하게 된다. SK하이닉스는 이러한 어려움을 ▲ 셀 층간 높이 감소 기술 ▲ 층별 변동 타이밍(Timing) 제어 기술 ▲ 초정밀 정렬(alignment) 보정 등 혁신적인 기술로 극복하고 업계 최고 수준의 176단 낸드를 개발했다. 또한 176단 4D 낸드 기반으로 용량을 2배 높인 1Tb(테라비트) 제품을 연속적으로 개발해 낸드플래시 사업 경쟁력을 높여 나간다는 방침이다. SK하이닉스 낸드개발 최정달 담당은 “낸드플래시 업계는 집적도 향상과 생산성 극대화를 동시에 달성하기 위해 기술 개발에 매진하고 있다”며 “SK하이닉스는 4D 낸드의 개척자로서 업계 최고의

경기도 용인시 원삼면 일원 450만㎡ 부지가 120조원이 투입되는 ‘SK하이닉스 반도체 특화 클러스터’ 대상지로 최종 확정됐다. 산업통상자원부 는 22일 브리핑을 통해 “반도체 클러스터 조성의 국가적 필요성을 종합적으로 검토한 결과, 필요성이 인정돼 국토교통부 수도권정비위원회에 산업단지 공급물량 추가 공급을 요청하기로 했다”고 밝혔다. 이와 관련 이재명 경기도지사 는 “정부가 정치논리나 지역 간 이해관계를 떠나 국익차원의 합리적이고 대승적인 판단을 했다”면서 “그동안의 준비를 바탕으로 사업이 성공할 수 있도록 SK그룹 , 용인시 와 함께 적극적으로 협력하여 세계 최고의 반도체 클러스터로 조성하겠다”고 말했다. 이어 “이천 사업장에도 M16 구축과 연구개발동 건설에 20조원 규모를 투자한다는 SK하이닉스의 발표를 환영한다”고 덧붙였다. 반도체 클러스터 대상지로 발표된 용인시 원삼면 일원은 투자주체인 SK하이닉스가 희망한 지역으로 도는 정부에 반도체 클러스터 조성을 위한 산업단지 물량 배정을 요청한 바 있다. 경기도 는 지난해 하반기부터 기획재정부 , 산업자원부, 국토교통부, 국회 등을 수차례 방문해 SK하이닉스를 중심으로 한 반도체 클러스터 조성을 건의했다. SK하이닉스의 이천공장이 포화상태에 이르면서 차세대 반도체의 연구개발 및 생산 공간이 필요했기 때문이다. 이런 도의 건의를 받아들여 정부는 지난해 12월, 2019년 경제정책방향과 업무계획을 통해 2028년까지 10년 동안 민간투자 120조원 규모의 반도체 특화 클러스터 조성계획을 발표했다. 이에 따라 각 지자체별로 유치 경쟁이 뜨거웠으며 이재명 도지사는 지난 18일 “기업이 가장 선호하는 곳, 제일 준비가 잘 되어 있는 곳, 조속한 사업 추진이 가능한 곳에 ‘반도체 클러스터’가 조성돼야 한다. 경기도가 바로 그 곳”이라며 강한 유치 의사를 밝힌바 있다. 경기도는 조속한 시일 내에 정부로부터 산업단지 물량을 공급 받아 2020년까지 행정절차를 마무리하고, 2021년에는