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전자 스핀을 상온에서 조절? 국내 연구진의 세계 최초 성과

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전자 스핀, 상온에서도 제어 가능해졌습니다 과학기술정보통신부 는 고려대와 서울대 공동연구팀이 금속 나노 나선 구조를 활용하여 상온에서 전자의 스핀을 선택적으로 조절할 수 있는 기술을 세계 최초로 개발했다고 발표했습니다. 이번 성과는 기존에 유기분자에서만 가능했던 스핀 제어 기술을 금속 기반으로 확장함으로써, 실용화에 큰 가능성을 보여주고 있습니다.     카이랄 구조, 전자 스핀의 흐름을 바꾸다 연구팀은 전기화학적 방식으로 금속에 카이랄성을 부여한 나노 나선을 만들고, 이를 통해 특정 방향의 스핀만 통과하도록 조절하는 데 성공했습니다. 나선의 꼬임 방향에 따라 전자의 스핀 방향이 걸러지는 현상이 실험적으로 입증되었으며, 이는 자성체가 스핀을 정렬하는 능력과 결합해 상온에서도 긴 거리의 스핀 수송이 가능하다는 것을 보여줍니다. 나노 기술과 스핀트로닉스의 융합 이번 연구는 단순한 이론이 아닌 실제 나노 소자 형태로 구현되었다는 점에서 의의가 큽니다. 특히, 나선 구조의 방향성까지 제어 가능한 제조 공정은 향후 다양한 금속과 응용 분야로 확장 가능성이 높습니다. 기존에 스핀 유지 거리와 안정성에서 한계가 있었던 유기분자 기반 기술의 대안으로 주목받고 있습니다. ▲ 전자 스핀 상온 제어를 가능하게 하는 카이랄 나노구조 형성 과정 모식도 연구진은 전기화학적 방식으로 금속 이온을 환원시킬 때 입자의 결정화 과정에서 카이랄 분자를 첨가하여 금속 입자 표면에 흡착되어 그 꼬인 방향을 오른쪽, 왼쪽 카이랄 방향으로 조절하였습니다. 향후 전망 카이랄 자성 나노 구조는 스핀트로닉스 기술의 차세대 핵심으로 자리 잡을 전망입니다. 고속·저전력의 비휘발성 메모리, 정밀 센서, 양자정보 소자 등 응용 범위가 넓어, 본 기술이 상용화된다면 미래 반도체 및 정보기술 산업에 큰 변화를 가져올 것입니다. 국내 연구진이 이룬 이번 성과는 세계적인 기술 리더십 확보의 계기가 될 것입니다. 게재 논문 확인

삼성전자, ‘28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM’ 양산 제품 첫 출하

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삼성전자 가 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)' 솔루션 제품을 출하했다. FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이며, MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가지는 메모리 반도체다. 이 두 기술이 합쳐져 전력을 적게 소모하면서 속도도 매우 빠르고, 소형화가 쉬우면서도 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리가 만들어졌다. 삼성전자 파운드리 사업부는 SoC(System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화했다. 내장형(embedded) 메모리는 IoT 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 Flash를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용된다. 그러나 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있었다. 삼성전자의 '28나노 FD-SOI eMRAM' 솔루션은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없고, 기존 eFlash보다 약 1천 배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 또한, 비휘발성 특성도 지녀 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않으며, 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다. 삼성전자의 eMRAM 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있어 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능하기 때문에 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다. 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 이상현 상무는 "신...

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