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스마트폰 발열 해결한 SK하이닉스 고방열 D램 공개

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스마트폰 발열, 반도체 패키징 기술로 잡는다 SK하이닉스 가 업계 최초로 'High-K EMC'라는 신소재를 적용한 고방열 모바일 D램 을 선보였습니다. 이는 온디바이스 AI 구현 시 발생하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 차세대 플래그십 스마트폰의 성능 유지에 핵심 역할을 하게 됩니다.     알루미나 혼합 신소재로 방열 성능 대폭 향상 기존 실리카 중심 EMC에 알루미나를 혼합한 'High-K EMC'는 열전도도를 기존 대비 3.5배 개선하고, 열 저항도 47% 줄였습니다. 이는 D램에 열이 누적되는 문제를 줄여 스마트폰 성능 저하를 방지하며, 배터리 지속시간과 기기 수명까지 연장하는 효과를 기대할 수 있습니다. 적층 패키지 기술과의 시너지 모바일 AP 위에 D램을 적층하는 PoP 구조는 공간 활용과 데이터 처리 성능에 강점이 있지만 발열에 취약했습니다. 이번 고방열 D램은 이러한 한계를 보완해, 적층 패키지 기술의 장점을 극대화할 수 있도록 설계됐습니다. 소재 기술 혁신으로 모바일 메모리 시장 선도 전망 이번 신제품은 고성능 스마트폰 사용자들의 체감 성능을 끌어올리는 동시에, 글로벌 고객사의 긍정적 반응을 얻고 있습니다. SK하이닉스는 향후에도 소재 기술을 기반으로 차세대 모바일 D램 시장에서 리더십을 강화해 나갈 계획입니다.

삼성전자의 LPDDR5X D램 개발 성공, 온디바이스 AI 시대를 위한 혁신

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삼성전자, LPDDR5X D램 업계 최고 속도 10.7Gbps 달성! 모바일, AI, 서버 시장까지 혁신하는 저전력∙고성능 메모리 솔루션 출시. 주요 특징, 기술 개선 사항, 향후 전망 등을 자세히 살펴보고, 삼성전자의 메모리 시장 리더십 강화에 대한 영향을 분석합니다. ▲ 업계 최고 속도 LPDDR5X 제품 이미지 삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X 개발 성공 삼성전자가 업계 최고 속도 10.7Gbps LPDDR5X D램 개발에 성공하여 저전력∙고성능 D램 시장에서의 기술 리더십을 다시 한 번 재확인했습니다. 이번 개발은 온디바이스 AI 시대에 맞춘 최신 기술 솔루션으로 기대를 모으고 있습니다. LPDDR5X는 Low Power Double Data Rate 5X의 약자로, 삼성전자가 개발한 업계 최고 속도의 저전력∙고성능 메모리 솔루션입니다. 이번 업데이트로 삼성전자는 온디바이스 AI 시대에 최적화된 메모리를 제공하고자 합니다. 12나노급 LPDDR D램 중 가장 작은 칩으로 구현 저전력∙고성능 메모리 솔루션, 온디바이스 AI 시대에 최적화 향후 모바일 분야를 넘어 ▲AI PC ▲AI 가속기 ▲서버 ▲전장 등 다양한 응용처에 확대 적용될 것으로 기대 주요 특징 및 기술 개선 사항 LPDDR5X는 전 세대 제품 대비 성능과 용량이 크게 향상되었습니다. 또한, 삼성전자는 이번 제품에 저전력 특성을 강화하기 위한 다양한 기술을 적용하여 전 세대 제품보다 소비전력을 약 25% 개선했습니다. 전 세대 제품 대비 성능 25%, 용량 30% 이상 각각 향상 모바일 D램 단일 패키지로 최대 32기가바이트(GB) 지원 성능과 속도에 따라 전력을 조절하는 ‘전력 가변 최적화 기술’과 ‘저전력 동작 구간 확대 기술’ 적용 전 세대 제품보다 소비전력 약 25% 개선 모바일, AI, 서버 시장까지 확대 적용 예정 삼성전자의 LPDDR5X D램은 업계 최고 속도와 저전력∙고성능 특징을 갖추고 있어 모바일, AI, 서버 시장까지 확대 적용될 전망입니다. 모바일 기기: 더 빠른 ...

삼성전자, 5G 통합 프리미엄 모바일AP ‘엑시노스 2100’ 출시

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삼성전자 가 성능을 대폭 향상시킨 프리미엄 모바일AP ‘엑시노스 2100’을 출시했다. 5나노 EUV 공정으로 생산되는 ‘엑시노스 2100’은 최신 모바일AP 설계 기술이 적용되어 CPU, GPU 성능이 각각 30%, 40% 이상 향상됐으며, 온디바이스 AI (On-Device AI) 성능도 크게 강화됐다. 이번 신제품은 삼성전자 프리미엄 모바일AP 최초 5G 모뎀 통합칩으로 구현되어, 고사양 게이밍은 물론 복잡한 멀티태스킹 환경에서 최고의 솔루션으로 제공된다. 삼성전자 시스템LSI사업부장 강인엽 사장은 “‘엑시노스 2100’에 최첨단 EUV 공정, 최신 설계 기술을 적용해 이전 모델 보다 강력한 성능과 함께 한단계 향상된 AI 기능까지 구현했다”며, “삼성전자는 앞으로도 한계를 돌파하는 모바일AP 혁신으로 프리미엄 모바일기기의 새로운 기준을 제시해 나가겠다”고 밝혔다. □ 최신 CPU 설계 적용·최적화로 성능 대폭 향상…AI 성능도 강화 삼성전자는 반도체 설계업체 ‘Arm’과의 협력을 기반으로 ‘엑시노스 2100’의 설계를 최적화해 성능을 대폭 향상시켰다. ‘엑시노스 2100’은 최대 2.9GHz로 구동되는 고성능 ‘코어텍스(Cortex)-X1’ 1개, ‘코어텍스-A78’ 3개, 저전력 ‘코어텍스-A55’ 4개를 탑재하는 ‘트라이 클러스터(Tri-Cluster) 구조’로 설계됐다. ‘엑시노스 2100’의 멀티코어 성능은 이전 모델에 비해 30% 이상 향상됐다. 또한, 최신 Arm ‘Mali-G78’이 그래픽처리장치(GPU)로 탑재되어, 이전 모델 대비 그래픽 성능이 40% 이상 향상됐다. 빠르면서도 현실감 높은 그래픽 처리가 가능해져, 게이밍은 물론 증강현실(AR), 가상현실(VR) 등 혼합현실(MR) 기기에서의 사용자의 몰입도를 극대화할 수 있게 됐다. 특히, 삼성전자는 ‘엑시노스 2100’의 온디바이스 AI 기능을 강화했다. 이 제품은 3개의 차세대 NPU 코어와 불필요한 연산을 배제하는 가속기능 설계 등을 통해 초당 26조번(26TOPS, Tera Op...

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