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삼성전자 가 차량용 반도체 시장에서 새로운 기회를 창출하고 있습니다. 이번 퀄컴 과의 협력으로 '스냅드래곤 디지털 섀시' 플랫폼에 탑재될 LPDDR4X 메모리에 대한 인증을 획득하며, 제품 공급을 본격적으로 시작했습니다. 이러한 협력은 삼성전자가 글로벌 완성차 및 부품 업체와의 관계를 더욱 강화하는 계기가 될 것입니다. 삼성전자는 이번 협력을 통해 차량용 메모리 시장에서의 입지를 더욱 공고히 하고, 혁신적인 기술력을 바탕으로 한 단계 더 도약할 준비를 하고 있습니다. 삼성전자와 퀄컴의 협력 배경 삼성전자가 퀄컴과 협력하게 된 배경에는 차량용 반도체 시장의 급격한 성장과 함께, 차량의 전장화가 주요 요인으로 작용했습니다. 이번 협력은 퀄컴의 '스냅드래곤 디지털 섀시' 플랫폼에 삼성의 LPDDR4X 메모리를 공급하는 것으로, 양사 간의 첫 번째 협력 사례입니다. 이는 삼성전자가 보유한 메모리 기술력과 퀄컴의 차량용 플랫폼 기술이 결합하여 차량용 반도체 시장에서 새로운 혁신을 창출할 가능성을 보여줍니다. LPDDR4X 메모리의 특징 LPDDR4X는 높은 성능과 저전력을 자랑하는 차량용 메모리로, 영하 40℃에서 영상 105℃까지의 극한 온도에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 또한, 자동차 전자부품 협회(AEC-Q100)의 품질 기준을 충족하여 차량용으로 사용될 때 신뢰성을 확보했습니다. 이러한 성능은 미래의 스마트카와 자율주행 차량에서 더욱 중요하게 작용할 것입니다. 삼성전자의 LPDDR4X는 이러한 트렌드에 맞춰 개발되어, 차량 내 다양한 전자 시스템에 최적의 솔루션을 제공합니다. ▲ 삼성전자 차량용 메모리 LPDDR4X 제품 이미지 LPDDR4X와 IVI 시스템의 연관성 LPDDR4X 메모리는 차량용 인포테인먼트 시스템(IVI)에서 중요한 역할을 합니다. IVI 시스템은 차량 내부의 엔터테인먼트와 정보 제공 기능을 결합한 시스템으로, 사용자 경험을 혁신적으로 개선합니다. 삼성의 LPDDR4X는 이러한 IVI 시스템의

삼성전자 가 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다. 삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있으며, 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다. 삼성전자는 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상시켜, 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획이다. 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 또한, 삼성전자 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다. 삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속 커지고 있다. 삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다. 또한 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다. 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 이주영 전무는 “삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며, “고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한

▲ 삼성전자 스마트폰 내장 메모리 ‘512GB eUFS 3.1’ 삼성전자 가 역대 최고 속도의 스마트폰용 메모리 ‘512GB(기가바이트) eUFS 3.1(embedded Universal Flash Storage 3.1)’을 세계 최초로 본격 양산했다. ‘512GB eUFS 3.1’은 기존 512GB eUFS 3.0 보다 약 3배 빠른 연속 쓰기 속도(1,200MB/s)로 FHD(5.0GB 기준) 영화 1편을 약 4초만에 저장할 수 있다. 이는 SATA SSD를 탑재한 PC의 데이터 처리속도(540MB/s)보다 2배 이상, UHS-I 마이크로SD 카드 속도(90MB/s) 보다 10배 이상 빠르다. * 연속 쓰기 속도 : 스토리지 메모리에 영화와 같은 데이터를 저장하는 속도(MB/s) 이번 제품의 연속 읽기 속도는 2,100MB/s, 임의 읽기와 임의 쓰기 속도는 각각 100,000 IOPS(Input/Output Operations Per Second), 70,000 IOPS로 기존 ‘eUFS 3.0’ 제품보다 성능을 향상했다. * 연속 읽기 속도 : 스토리지 메모리에 이미 저장된 영화 등을 불러오는 속도(MB/s) * 임의 읽기/쓰기 속도 : 스토리지 메모리와 기기간 초당 데이터 입출력 횟수(IOPS) 스마트폰에 ‘512GB eUFS 3.1’ 메모리를 탑재하면 8K 초고화질 영상이나 수백장의 고용량 사진도 빠르게 저장할 수 있어 소비자가 울트라 슬림 노트북 수준의 편의성을 체감할 수 있다. 또한 100GB의 데이터를 새 스마트폰으로 옮길 때 기존 eUFS 3.0 메모리 탑재폰은 4분 이상 시간이 걸렸지만, eUFS 3.1 탑재폰은 약 1분 30초면 충분하다. 삼성전자는 512GB, 256GB, 128GB 세가지 용량으로 구성된 ‘eUFS 3.1’ 제품 라인업으로 올해 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점할 계획이다. 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “메모리 카드의 성능 한계를 뛰어넘은 eUFS 3.1

▲ 12GB LPDDR4X 모바일 D램 삼성전자 가 역대 최대 용량의 '12GB(기가바이트) LPDDR4X(Low Power Double Data Rate 4X) 모바일 D램'을 양산한다. '12GB LPDDR4X 모바일 D램'은 2세대 10나노급(1y) 16기가비트(Gb) 칩을 6개 탑재한 제품이다. 기존 '8GB 모바일 D램' 보다 용량을 1.5배 높여 역대 최대 용량을 구현했다. 이로써 일반적인 울트라 슬림 노트북에 탑재된 8GB D램 모듈보다도 높은 용량의 D램 패키지를 모바일 기기에 적용하게 됐다. 폴더블(Foldable)과 같이 화면이 2배 이상 넓어진 초고해상도 스마트 폰에서 다양한 어플리케이션을 더 원활하게 사용할 수 있게 된 것이다. 모바일 업체들은 차세대 스마트폰에 5개 이상의 카메라 모듈, 대형/멀티 디스플레이, 인공지능 프로세서, 5G 통신서비스 등을 도입하고 있다. 이런 고사양 스마트폰에 더 높은 용량의 D램을 탑재하면 시스템 성능을 대폭 향상시킬 수 있다. 또한 12GB 대용량을 한 개의 패키지로 구현함으로써 소비전력 효율을 높이고 배터리 탑재 면적도 키울 수 있다. '12GB LPDDR4X 모바일 D램'은 현재 모바일 기기에 사용되는 가장 빠른 속도인 초당 34.1기가바이트(GB)의 속도로 데이터를 읽고 쓸 수 있으며, 패키지 두께도 1.1mm에 불과해 모바일 기기를 더 슬림하게 설계할 수 있다. 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 부사장은 "12GB 모바일 D램을 본격 양산해 차세대 플래그십 스마트폰에 필요한 모든 메모리 라인업을 업계 유일하게 공급하게 됐다"며, "고객의 D램 수요 증가에 맞춰 평택에서 생산 비중을 지속 확대해 프리미엄 모바일 시장에서 위상을 강화시켜 나갈 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 이달 12GB 모바일 D램 양산을 시작으로 하반기에는 8GB 이상 고용량 모바일 D램 라인업의 공급 물

▲ 삼성전자가 세계 최초로 양산한 512GB eUFS 3.0 제품 이미지 ▲ 내장형 메모리 성능 비교 삼성전자 가 역대 최고 속도의 차세대 모바일 메모리 '512GB eUFS 3.0(embedded Universal Flash Storage 3.0)'을 양산하며 차세대 플래그십 스마트폰 메모리 시장 선점에 나섰다. 'eUFS 3.0' 제품은 기존 'eUFS 2.1' 보다 2배 이상 빠른 2,100MB/s의 연속읽기 속도를 구현한다. 이는 SATA SSD보다 약 4배, 마이크로SD 카드보다는 20배 이상 빠른 속도로, 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송 시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 초고속 'NVMe SSD' 수준의 성능을 가진 이 제품으로 소비자들은 초고해상도의 차세대 모바일 기기에서도 울트라 슬림 노트북 수준의 성능을 체감할 수 있게 됐다. 삼성전자는 이번 제품에 5세대 512Gb V낸드를 8단으로 적층하고 고성능 컨트롤러를 탑재해 이 같은 성능을 구현했다. 또한 연속쓰기 속도도 410MB/s로 기존 eUFS 2.1 제품보다 1.5배 이상 높였고, 임의 읽기·쓰기 속도도 최대 1.3배 빠른 63,000·68,000 IOPS(Input/Output Operations Per Second)를 구현했다. 특히 임의읽기·쓰기 속도는 마이크로SD 카드(100 IOPS)보다 630배 이상 향상돼 대화면의 초고해상도 디스플레이에서 다양하고 복잡한 작업을 동시에 실행하더라도 빠르고 원활하게 처리할 수 있다. 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최철 부사장은 "eUFS 3.0 제품을 본격 양산함으로써 소비자들이 모바일 기기에서도 최고급 노트북 수준의 사용 편의성과 만족감을 체감할 수 있게 되었다"라며, "올해 1TB까지 라인업을 늘려 글로벌 모바일 제조사들이 프