스마트폰 발열 해결한 SK하이닉스 고방열 D램 공개
스마트폰 발열, 반도체 패키징 기술로 잡는다 SK하이닉스 가 업계 최초로 'High-K EMC'라는 신소재를 적용한 고방열 모바일 D램 을 선보였습니다. 이는 온디바이스 AI 구현 시 발생하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 차세대 플래그십 스마트폰의 성능 유지에 핵심 역할을 하게 됩니다. 알루미나 혼합 신소재로 방열 성능 대폭 향상 기존 실리카 중심 EMC에 알루미나를 혼합한 'High-K EMC'는 열전도도를 기존 대비 3.5배 개선하고, 열 저항도 47% 줄였습니다. 이는 D램에 열이 누적되는 문제를 줄여 스마트폰 성능 저하를 방지하며, 배터리 지속시간과 기기 수명까지 연장하는 효과를 기대할 수 있습니다. 적층 패키지 기술과의 시너지 모바일 AP 위에 D램을 적층하는 PoP 구조는 공간 활용과 데이터 처리 성능에 강점이 있지만 발열에 취약했습니다. 이번 고방열 D램은 이러한 한계를 보완해, 적층 패키지 기술의 장점을 극대화할 수 있도록 설계됐습니다. 소재 기술 혁신으로 모바일 메모리 시장 선도 전망 이번 신제품은 고성능 스마트폰 사용자들의 체감 성능을 끌어올리는 동시에, 글로벌 고객사의 긍정적 반응을 얻고 있습니다. SK하이닉스는 향후에도 소재 기술을 기반으로 차세대 모바일 D램 시장에서 리더십을 강화해 나갈 계획입니다.
