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삼성전자 가 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다. 삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있으며, 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다. 삼성전자는 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상시켜, 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획이다. 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 또한, 삼성전자 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다. 삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속 커지고 있다. 삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다. 또한 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다. 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 이주영 전무는 “삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며, “고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한

SK하이닉스 가 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다. * LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램. DDR은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭으로, DDR1-2-3-4로 세대가 바뀜 반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다. 특히, 이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산된다는 의미가 있다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다. * EUV (Extreme Ultraviolet) - 극자외선을 이용해 빛을 투사해주는 노광(露光) 장비 공정이 극도로 미세화되면서 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입하고 있다. 업계에서는 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 입장이다. 또, SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다. 올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 회사는 기대하고 있다. 이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 저전력

삼성전자 가 성능을 대폭 향상시킨 프리미엄 모바일AP ‘엑시노스 2100’을 출시했다. 5나노 EUV 공정으로 생산되는 ‘엑시노스 2100’은 최신 모바일AP 설계 기술이 적용되어 CPU, GPU 성능이 각각 30%, 40% 이상 향상됐으며, 온디바이스 AI (On-Device AI) 성능도 크게 강화됐다. 이번 신제품은 삼성전자 프리미엄 모바일AP 최초 5G 모뎀 통합칩으로 구현되어, 고사양 게이밍은 물론 복잡한 멀티태스킹 환경에서 최고의 솔루션으로 제공된다. 삼성전자 시스템LSI사업부장 강인엽 사장은 “‘엑시노스 2100’에 최첨단 EUV 공정, 최신 설계 기술을 적용해 이전 모델 보다 강력한 성능과 함께 한단계 향상된 AI 기능까지 구현했다”며, “삼성전자는 앞으로도 한계를 돌파하는 모바일AP 혁신으로 프리미엄 모바일기기의 새로운 기준을 제시해 나가겠다”고 밝혔다. □ 최신 CPU 설계 적용·최적화로 성능 대폭 향상…AI 성능도 강화 삼성전자는 반도체 설계업체 ‘Arm’과의 협력을 기반으로 ‘엑시노스 2100’의 설계를 최적화해 성능을 대폭 향상시켰다. ‘엑시노스 2100’은 최대 2.9GHz로 구동되는 고성능 ‘코어텍스(Cortex)-X1’ 1개, ‘코어텍스-A78’ 3개, 저전력 ‘코어텍스-A55’ 4개를 탑재하는 ‘트라이 클러스터(Tri-Cluster) 구조’로 설계됐다. ‘엑시노스 2100’의 멀티코어 성능은 이전 모델에 비해 30% 이상 향상됐다. 또한, 최신 Arm ‘Mali-G78’이 그래픽처리장치(GPU)로 탑재되어, 이전 모델 대비 그래픽 성능이 40% 이상 향상됐다. 빠르면서도 현실감 높은 그래픽 처리가 가능해져, 게이밍은 물론 증강현실(AR), 가상현실(VR) 등 혼합현실(MR) 기기에서의 사용자의 몰입도를 극대화할 수 있게 됐다. 특히, 삼성전자는 ‘엑시노스 2100’의 온디바이스 AI 기능을 강화했다. 이 제품은 3개의 차세대 NPU 코어와 불필요한 연산을 배제하는 가속기능 설계 등을 통해 초당 26조번(26TOPS, Tera Op

  삼성전자 가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다. 이 라인에서는 업계 최초로 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다. □ D램, 낸드, 파운드리까지 생산하는 세계 최대 반도체 생산 라인 삼성전자의 평택 2라인은 연면적이 12만 8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 세계 최대규모의 반도체 생산라인이다. 평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로 만들어져 4차 산업 혁명 시대의 반도체 초격차 달성을 위한 핵심적인 역할을 할 예정이다. 삼성전자는 평택 2라인에 지난 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했으며, 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인도 착공했다. 두 라인 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다. 이번 평택 2라인은 지난 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환으로 건설된 것으로 삼성전자는 어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다. 이에 따라 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다. 직접 고용하는 인력은 약 4천 명으로 예상되고 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다. 지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다. 삼성전자는 평택캠퍼스에 대한 적극적인 투자로 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획이다. □ 차세대 스마트폰 시장 선점할 최첨단 EUV D램 본격 양산 평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용되었

삼성전자 가 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다. 삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 ‘V1 라인’ 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC(High Performance Computing), AI 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다. 이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 ‘반도체 비전 2030’ 관련 후속 조치의 일환으로, 삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다. 삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다. 삼성전자는 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 2020년 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다. 또한 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다. 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것”이라며, “전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것”이라고 밝혔다. 글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상되며, 삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다. 출처:  삼성전자

▲ D램 모듈 삼성전자 가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다. 삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급하여 글로벌 고객의 평가를 완료했다. 이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 ‘EUV 공정’을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다. EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다. 삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 ‘4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술’을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다. EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다. 삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다. 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며, “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것”이라고 밝혔다. 한편, 삼성전자는 내년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체 간 다양한 표준화 활동을 추진해, 차세대 시스템에